模拟MEMS厚胶物理光刻工艺，采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、显影四大步骤模拟; ◆ 精细的曝光前后光照模型; ◆ 支持多层mask文件版图设置; ◆ 支持三维显示结果精细测量。

精准的三维工艺物理模拟工具。 ◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程； ◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等； ◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选； ◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰富的实践验证； ◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺. ◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺 ◆ 基于GPU大规模并行计算 ◆ 采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能 ◆ 支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息； ◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。

基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。 ◆ 动画形式显示工艺过程； ◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型； ◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等； ◆ 采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构； ◆ 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息； ◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程；

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻； ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻； ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术； ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响； ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率； ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响； ◆ 三维图形和横截面可视； ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度；

◆ 基于原子模型的精确湿法刻蚀工艺模拟； ◆ 集成 DRIE 和多次掩膜复合工艺功能； ◆ 基于八叉树和并行计算的元胞自动机及动力学蒙特卡罗模型； ◆ 完备的刻蚀工艺数据库，面向用户的开放的接口； ◆ 可定义和切割任意高指数晶面； ◆ 精确描述腐蚀表面形貌； ◆ 兼容 IntelliMask 版图文件和 Bmp 掩膜文件； ◆ 输出 FEM 网格数据； ◆ 基于 GPU 大规模并行计算的 IntelliEtchG； ◆ Wagon Wheel Analyzer 硅刻蚀速率提取工具； ◆ Etch Rate Visualizer / CCA calibrator 硅刻蚀速率可视化及校准工具； ◆ Wagon Wheel Analyzer II 石英刻蚀速率提取工具；

结合材料、版图创建器件的工艺流程，并可输出到FabSim模块生成三维虚拟模型，输出到TEM模块进行分析。 ◆ 完整的MEMS工艺流程，包括沉积、光刻、刻蚀、键合、电镀等工艺。用户可添加自有工艺； ◆ 支持标准MEMS工艺，如MUMPS, SCREAM, SUMMIT, LIGA, Bosch Surface Micromachining等。 ◆ 用户可创建自有工艺； ◆ 图形化的硅和石英等材料的各向异性湿法刻蚀速率展示与调节工具 ◆ 支持SOI材料，支持电阻率与方块电阻参数同步; ◆ 支持输出Excel格式工艺流程单 ◆ 结合FabSim模拟工艺流程生成的器件的三维模型； ◆ 结合TEM分析对器件的影响，实现更精确的多物理场模拟；

当前最全面的薄膜材料数据库和工艺优化工具，提供工艺参数和器件特性间的重要联系。 ◆ 包含多达70余种、基于真实工艺过程得到的 MEMS 常用薄膜材料属性，使模拟结果更加精确； ◆ 允许用户添加和自定义材料； ◆ 通过 IntelliFab 模块直接将材料属性输出到 TEM 分析模块； ◆ 优化工艺；

模拟 RIE/ICP(Bosch Process) 工艺，清晰反映加工工艺如何影响产品成型。 ◆ 可调节侧边的圆齿、粗糙度及周期； ◆ RIE 和 DRIE 的 lag 效应； ◆ 模拟最终实体形貌、侧面角度； ◆ 考虑掩膜影响； ◆ 为特定截面创建工艺参数可调整的结构； ◆ 支持 Footing 效应模拟； ◆ 支持工艺参数计算； ◆ DRIE 刻蚀速率及深宽比校准工具；