Exposure光刻仿真模块

模拟MEMS厚胶物理光刻工艺，采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、显影四大步骤模拟; ◆ 精细的曝光前后光照模型; ◆ 支持多层mask文件版图设置; ◆ 支持三维显示结果精细测量。

精准的三维工艺物理模拟工具。 ◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程； ◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等； ◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选； ◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰富的实践验证； ◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺. ◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺 ◆ 基于GPU大规模并行计算 ◆ 采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能 ◆ 支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息； ◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。

基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。 ◆ 动画形式显示工艺过程； ◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型； ◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等； ◆ 采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构； ◆ 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息； ◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程；

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻； ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻； ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术； ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响； ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率； ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响； ◆ 三维图形和横截面可视； ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度；