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AnisE 湿法蚀刻模块

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AnisE 湿法蚀刻模块

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻； ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻； ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术； ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响； ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率； ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响； ◆ 三维图形和横截面可视； ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度；

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先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。

◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻;

◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻;

◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术;

◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响;

◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率;

◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响;

◆ 三维图形和横截面可视;

◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度;

Comparison between experiment(top) and simulation (bottom)

Wet etching is affected by temperature, etchant concentration and other parameters.

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