您好，欢迎访问爱游戏体育在线官方网址官网



搜索

确认

取消

CATEGROIES

产品分类

软件分类 



好二三四

IntelliSute软件

系统级

SYNPLE系统分析模块

浏览量:

1000

SYNPLE系统分析模块

应用于多领域、多尺度的 MEMS 和纳米技术系统级设计工具，是有效进行器件、电路综合设计的划时代产品。与 IntelliSuite 其它模块结合，可以解决工业界的许多技术难题。 ◆ 良好的可拓展性框架，能够十分便捷地增加新单元； ◆ 灵活的单元定义方式，无需学习新的语言； ◆ 无需花费大量时间计算 Jacobian 行列式，计算速度明显优于传统数值方法； ◆ 预先设有包含模拟、数字、数模混合、机械以及 MEMS 元件的单元库。并且还在不断地更新中； ◆ 特别针对 MEMS 陀螺仪、加速度计等惯性器件开发的 mEFM(多重表面网格划分)算法可高效、精确地分析复杂梳齿结构特性参数，大大提高运算效率； ◆ 基于 Jiles-Atherton 模型和二次畴转模型，考虑变化磁场的滞回效应，开发出磁机械耦合和磁压电耦合的 MEMS 单元；

零售价

0.0

元

市场价

0.0

元

浏览量:

1000

产品编号

数量

库存:

所属分类

返回列表



资质荣誉生产实力

产品描述

参数

技术参数表

系统组网

标准选配件

应用领域

SYNPLE—系统级分析与仿真

可以基于原理图进行电路分析。可以快速地优化设计。SYNPLE可以实现降阶宏模型仿真，可直接将原理图转换成器件版图，从而进行3D建模，网格划分以及多物理场仿真分析。

SYNPLE 包括尖端的原理图生成和仿真工具，通过降阶宏模型的方式使设计更加便捷。SYNPLE提供了一个包含电、机械、热等多物理场的分析环境，以及MEMS单元库。可以通过拖拽操作进行多个MEMS单元的组合，并使用连线生成MEMS系统原理图。因此，用户可以在进行详细分析和验证之前快速地检查设计缺陷或者问题。

Domain Synthesis and Simulation Hierarchical multi-domain design

Schematic based design exploration

3D Visualize simulation results

Schematic to mask

Schematic to process flow

Schematic to 3D model

111

Schematic to mesh

QUADRATURE ERROR CONTROL

System analysis to FEA/BEA

111

SYNPLE to VHDL

Displacement time delays of the mirrors array

上一个

SME系统宏模型提取

下一个

无

相关软件

 Exposure光刻仿真模块

模拟MEMS厚胶物理光刻工艺，采用物理仿真算法与物理模型精细反应SU8等厚胶光刻效果。 ◆ 支持影像成型、曝光、后烘、显影四大步骤模拟; ◆ 精细的曝光前后光照模型; ◆ 支持多层mask文件版图设置; ◆ 支持三维显示结果精细测量。

READ MORE 

 FABSim三维工艺物理仿真模块

精准的三维工艺物理模拟工具。 ◆ 模拟工艺流程生成的器件的三维模型,动画形式显示工艺过程； ◆ 支持绝大多数MEMS工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及CMOS工艺中的氧化/注入等； ◆ 高精度模式和快速模式两种仿真模式可选； ◆ Si DRIE和湿法各向异性刻蚀算法源自成熟的单工艺仿真算法模块，历经丰富的实践验证； ◆ 支持III-V族半导体(InP)等多种化合物半导体物理仿真工艺. ◆ 支持spray准各向同性湿法刻蚀工艺 ◆ 基于GPU大规模并行计算 ◆ 采用体素绘制技术，支持旋转、平移、缩放、剖面等功能 ◆ 支持按工艺分层显示，方便观察器件内部结构信息； ◆ 支持PPT、AVI、JPG等多种格式输出。

READ MORE 

 FabViewer 三维工艺模块

基于三维体素操作的强大的工艺演示工具。 ◆ 动画形式显示工艺过程； ◆ 模拟任意工艺步骤后器件的三维模型； ◆ 支持绝大多数 MEMS 工艺仿真，包括：各向同性/异性淀积，各向同性/异性刻蚀，湿法刻蚀，键合，光刻以及 CMOS 工艺中的氧化/注入等； ◆ 采用体素图形学技术，更加逼真的演示三维复杂器件结构； ◆ 采用体绘技术，通过旋转、平移、缩放、剖面等功能用户可以查看器件内部信息； ◆ 利用几何算法更加逼真模拟淀积和刻蚀过程；

READ MORE 

 AnisE 湿法蚀刻模块

先进的、基于自动控制的单元蚀刻仿真技术能够得到精确的<100>、<110>单晶硅晶片KOH和 TMAH 各向异性蚀刻仿真结果，还可用于复杂版图及长时间蚀刻。 ◆ 晶片的顶部、底部和双面蚀刻； ◆ 多重截止层和单一晶片上不同掩模的多次蚀刻； ◆ 体现未对齐掩模的影响,及补偿技术； ◆ 预测蚀刻剂温度、浓度及蚀刻时间对器件外形的影响； ◆ TMAH 和 KOH 蚀刻速率数据库，用户也可自定义蚀刻速率； ◆ 测定耦合各向异性蚀刻情况下垂直蚀刻的影响； ◆ 三维图形和横截面可视； ◆ 测量蚀刻后晶片任意两点间的距离和角度；

READ MORE 

产品咨询

如果您对我们的产品有任何兴趣，欢迎随时给我们留下您的意向信息

描述：